2025年記憶體產業營收將受惠HBM、QLC均價上揚而創新高

HBM已成AI发展的记忆体新宠。（路透）

根据集邦科技最新记忆体产业分析报告，受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上高频宽记忆体（HBM）等高附加价值产品崛起，预估今年DRAM及NAND Flash产营收年增幅度将分别增加75%和77%。2025年产业营收将持续维持成长，DRAM年增约51%、NAND Flash年增则来到29%，将创历史新高，并推动资本支出回温、带动上游原料需求，记忆体买方成本压力也将随之上升。

集邦估计，预估受惠于DRAM均价在2024年增加53%、2025年增加35%的条件下，进一步推升2024年DRAM营收达907亿美元、年增75%，2025年达1,365亿美元、年增51%。

集邦表示，4项驱动DRAM营收的因素包括HBM崛起、一般型DRAM产品世代演进、原厂资本支出限缩供给和伺服器（Server）需求复苏。相较一般型DRAM，HBM除拉升位元需求，也拉高产业平均价格。预估2024年HBM将贡献DRAM位元出货量5%、营收20%。

此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加价值产品的渗透同样有助提高平均价格。集邦估计，DDR5将分别贡献2024、2025年server DRAM位元出货量40%、60-65%；，LPDDR5/5X会贡献2024、2025年mobile DRAM位元出货量50%和60%。

集邦估计，2024年NAND Flash营收将达662亿美元、年增77%；2025年在大容量QLC Enterprise SSD崛起、smartphone采用QLC UFS、原厂资本支出限缩供给和server需求复苏等4项因素带动下，NAND Flash营收将达786亿美元、年增29%。北美CSPs已开始在inference AI server大量采用QLC enterprise SSD，尤其是大容量规格。TrendForce预估，QLC将贡献2024年NAND Flash位元出货量20%，此比重2025年将再提升。在smartphone应用，QLC预计逐步渗透UFS市场，部分中国smartphone业者预计于2024年第四季起采用QLC UFS方案，Apple则预计2026年开始导入至iPhone。

集邦表示，记忆体产业营收创纪录下，原厂将有足够现金流加速投资。预估2025年DRAM、NAND Flash产业资本支出分别年增25%、10%，且有机会上修。此外，记忆体生产规模提升将带动对矽晶圆、化学品等上游原料需求，但相反的，记忆体价格上涨将增加电子产品成本，ODM/OEM业者较难完全将成本反映在零售价上，利润势必将被压缩，终端销量也可能受到压抑，导致需求下滑。