7奈米以下半导体制程 FIB光束需升级「单颗原子」才够力
▲包含台积电的7奈米以下半导体制程，现有FIB设备，光束需升级到「单颗原子大小」(0.3奈米)才够力。（图／埃尔思科技提供）
随着半导体制程达到7奈米以下，原本用于半导体元件失效分析、样品制备的FIB(聚焦离子束）设备已越来越难满足要求。由于目前市面上主流FIB，使用液态金属镓作为离子源，光源尺寸约50奈米，在进行局部材料移除时，对样品有明显破坏。现在已有「单原子离子光源技术」科学研究成果，能提升现有FIB设备，光源尺寸仅单颗原子大小，约0.3 奈米，最快有机会在2024年问世。FIB（聚焦离子束）设备具备显微成像、局部材料移除与沉积的能力，被广泛应用于半导体元件失效分析、样品制备、生医与医药领域的显微成分分析等。但随着半导体制程进步到7奈米以下，原有FIB设备已经不太够力。
新创团队埃尔思科技传承中央研究院物理研究所，累积30年的场发射技术，其创办人张维哲博士及团队，具有多年的单原子离子光源研发经验，近期研发出光源尺寸仅有单颗原子大小（约0.3 奈米）、原子尺寸的离子光源，具有最高亮度，是世界最尖端的带电粒子束光源科技，能够大幅改进FIB的材料移除分辨率。
张维哲表示，2019年决定创立埃尔思科技，就是希望将专利加速商业化发展，成新世代FIB系统的开发。目前这项单原子离子光源的商业化项目，已取得国际设备大厂的先期合作，并共同开发新世代的FIB设备，最快有机会在2024年问世。
另外，相关专利也衍生出许多金属针尖制造技术，展出奈米探针、微米探针、扫描穿隧显微镜（STM）探针等产品。
张维哲解释，Nano Probing系统是目前先进半导体制程中，进行电性量测的重要工具，需要使用奈米尺度的金属针尖，对样品进行接触式量测，大量应用于研发与故障分析，奈米探针是这种设备的主要耗材。
当制程进入10奈米以下，所需要使用的探针规格要求越来越高，埃尔思科技能提供业界最高规格之奈米探针（针尖曲率半径小于3奈米），能胜任最先进半导体制程的故障分析需求。
埃尔思的奈米级与微米级探针，则已经通过市场验证，并达到少量出货的阶段，正扩大生产规模且积极进行市场推广。埃尔思团队优越的表现也获得政府研发补助专案的肯定，先后取得高雄市SBIR计划补助，以及获选为经济部SBIR创业概念海选计划明星组Stage1，与创新择优Stage2计划技术创新突破类补助个案。
另外，埃尔思今年初也获得专注于科技新创早期投资与育成陪跑的诚研创新(股)公司的天使轮投资，期待创造更大的格局与市场价值。