爱普＊跨入IPD市场 营运添翼

爱普月合并营收表现

记忆体厂爱普*（6531）物联网（IoT）事业群及人工智慧（AI）事业群布局成功，包括类静态随机存取记忆体（PSRAM）出货畅旺，晶圆堆叠晶圆（WoW）已进入量产阶段并明显贡献营收。爱普*为了开拓新市场，将与晶圆代工厂力积电（6770）携手合作，以多年来在DRAM电容（capacitor）技术优势，跨入半导体制程整合型被动元件（IPD）市场，大抢5G及B5G（Beyond 5G）装置庞大商机。

受到晶圆代工厂产能吃紧及生产链长短料问题的影响，爱普*的PSRAM及利基型DRAM出货延宕，11月合并营收月减4.6％达5.58亿元，与去年同期相较仍大幅成长73.9％，累计前11个月合并营收60.25亿元，较去年同期成长92.0％。而随着生产链长短料问题逐步获得纾解，爱普出货将逐步回升，对未来2～3年维持乐观展望，明年第一季将淡季转旺。

包括4G数据机晶片及穿戴装置微控制器（MCU）主流制程已微缩到7奈米或5奈米，一般记忆体晶片尺寸较大，无法符合数据机或MCU等逻辑晶片较小尺寸，爱普*因为可以为客户进行客制化设计，缩小PSRAM及利基型DRAM的接脚数及晶片尺寸，符合逻辑晶片小尺寸需求，所以订单能见度高，爱普*看好IoT事业群明年出货量会明显优于今年。

由于高效能运算（HPC）晶片搭载的高频宽记忆体（HBM）价格昂贵，爱普*推出全新DRAM介面的异质整合高频宽记忆体（VHM）技术，透过WoW先进封装可提供更大的记忆体频宽但更低的成本，下半年已进入量产，今年相关DRAM晶圆销售6亿元目标可望顺利达阵，未来2～3年已有10个专案将陆续投产并带来明显营收贡献。

随着5G智慧型手机快速发展，多频段特性需要采用更多射频元件，被动元件搭载数量同步大增，但手机要求轻薄短小，过多的射频及被动元件会造成高频传输耗损、功耗明显提高、散热难度大增等问题。而采用半导体制程的IPD因为利用矽基板蚀刻出高深宽比的沟槽式（trench）结构，利用3D排列结构来解决射频及被动元件过多带来的负面影响。

苹果iPhone采用IPD元件已逾5年，随着5G手机未来几年出货量的快速增加，IPD元件因为能与射频元件进行阻抗匹配与去耦合等高频电路设计，明年将进入成长爆发阶段，且未来往B5G发展后还会带来更强劲成长动能。

爱普*已经携手力积电共同跨入IPD市场，并且展开与5G手机晶片厂合作，预计明年就可带来营收贡献。