《半导体》华邦电联手力成 开发2.5D/3D先进封装业务

本合作业务开发专案之合作方式将由华邦提供CUBE(客制化超高频宽元件)DRAM以及客制化矽中介层(Silicon-Interposer)、同时整合去耦电容(Decoupling Capacitor)等先进技术，搭配力成科技所提供之2.5D及3D封装服务，这项战略合作旨在助力市场对先进封装的强烈需求以符合客户期望。

华邦电创新之矽中介层技术与力成科技2.5D及3D异质整合封装技术结合后，将完整实现高效能边缘AI运算；搭配华邦电最新发表的CUBE，若选择利用3D堆叠技术并结合异质键合技术(Hybrid Bond)，可满足边缘AI运算装置不断增长的记忆体需求，是华邦电实现跨平台与介面部署的重要一步。

本合作业务开发案之合作方式将采由力成科技提供所需之2.5D及3D先进封装服务，包括但不限于Chip on Wafer、凸块(Bumping)及矽穿孔(TSV, Through Silicon Via)via-reveal封装等，力成将优先推荐客户使用华邦电之矽中介层(Silicon-Interposer)及其他产品，包括动态随机存取记忆体(DRAM)及快闪记忆体(Flash)等以完成前述之先进封装服务，进而达成异质整合以满足市场对高宽频及高效能运算的服务需求。

这不仅强化了产品之高宽频性能，还降低资料传输所需的电力，从而迎合AI时代对高速运算及低耗能的期望和需求。力成和华邦电透过全面的上下游整合服务，将能够为客户提供更多异质整合方案，以促进AI技术的发展，进而引领AI边缘运算领域的迅速蓬勃发展。