《半导体》看好SiC和GaN前景 环球晶与交大成立化合物半导体研究中心

看好第三代半导体材料碳化矽(SiC) 和氮化镓(GaN)的未来前景，环球晶(6488)今（6月22日）与交通大学签署备忘录，将共同合作成立化合物半导体研究中心。透过产学合作的模式，携手研发第三代半导体材料包含但不限于6吋~8吋SiC 和GaN之技术开发，用以支持晶体成长、提供高性能元件应用所需，以利快速建构台湾化合物半导体产业链。

交通大学代理校长陈信宏表示：「交大结合校友力量，每年募款1亿元，协助交大推动尖端研究，期望五至十年能有三至五个领域达到世界第一的目标，进而成就「伟大大学」之愿景。」规划以半导体、AI、生医为三大重点领域。其中，半导体晶圆发展小组特别与台湾第一大、全球第三大的矽晶圆大厂环球晶圆合作。由于SiC和GaN是非常具有发展前景的半导体材料，在5G、电动车、太阳能发电、功率发电的应用上，是最重要的成功关键，台湾在这个领域必须积极擘划快速布局，方能与世界接轨并在全球市场占有一席之地。交通大学结合多所学校相关研究的教授群，以化合物半导体材料研究和人才培育计划为主轴，与环球晶圆共同努力加速开发SiC和GaN，建立产学互馈循环机制并培育国际级研发团队，以利提升台湾半导体产业于全球的竞争实力。

世界各国看好第三代半导体材料的市场发展潜力，积极在化合物半导体上加速布局。环球晶圆在碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN) 已深耕多年，研发团队优秀卓越并已开发多项专利，生产技术精湛并具有完整的生产线。因此，环球晶圆决定与人才济济的交通大学在化合物半导体展开合作，串连各自的专业领域与技术优势加速前进，创造企业成长的新契机。环球晶圆期以成为世界顶级的半导体SiC晶圆和GaN晶圆的供应商之一，未来长期营运发展乐观可期!