《产业分析》携手中美晶及韩厂 宏捷科及IET盼2022年展翅

相较于稳懋(3105)及环宇-KY(4991)，宏捷科(8086)氮化镓业务仍在起步阶段，不过宏捷科日前透过私募普通股4500万股、每股价格为77.7元，引进中美晶(5483)策略联盟，可望加速公司在氮化镓领域的脚步，宏捷科预估，2022年第1季会有产品认证。

宏捷科总经理黄国钧表示，宏捷科要做的GaN for RF (高频)的应用，所以必须是GaN on “SI (semi-insulator) SiC基板，目前GaN on SI-SiC只有4吋可以买得到，6吋几乎完全控制在Cree手上，不仅价格是天价，也买不太到，如果没有中美晶集团的6吋SI-SiC开发出来，我们也无法做，因为根本没有6吋SI-SiC基板可用，在策略联盟中，宏捷的角色就是协助中美晶集团verify(校验)中美晶集团的6吋SI-SiC，因为宏捷有GaNRF的专业和制造能力，可以快速的反馈中美晶6吋SI-SiC有甚么需要改善的参数(parameters)，这是一个互相帮忙、互相改善的联盟。

由于GaN有80%的设备机台可以和GaAs共用，且我们的产能还是接近满载，没有多余的产能如同其他公司一样转一条4吋的产线去生产，所以我们聚焦在6吋的GaN；目前公司月产能约12000片，为因应客户需求，扩建的第二厂区厂房已经完成无尘室建置，并进行设备安装，预估年底月产能将达15000片，并留有每月20000片产能扩充空间，未来产能不是问题。

至于产品规划，由于大功率的产品都已被日本厂商占据，很难打进去，我们可能从小功率的Infrastructure产品开始切入，并选择几个客户一起导入研发及产品认证，预估2022年第1季才会有产品认证。

在磊晶厂—IET-KY (英特磊)方面，公司日前宣布与韩国IVWorks公司合作，共同开发以MBE分子束磊晶技术生产氮化镓(GaN)磊晶片。

英特磊总经理高永中表示，公司从10年前开始做氮化镓，但用MBE生产速度太慢，比MOCVD机台慢了5倍，不是商业化行为可以发展的东西，因此停了下来，而IVWorkS运用混合式MBE技术(Hybrid-MBE)，也就是利用氨和电浆搭配的氮源进行磊晶，最佳化质量和生长速率，可以把生长速率提升到MOVCD相似；再者，相较于其他材料，氮化镓生长温度条件非常窄，用MBE长晶有特殊优势，可以用「反射式高能电子绕射仪」看晶体表面，且图样可以从头看到尾，而IVWorks开发机器学习的人工智能(AI)磊晶监控系统“Domm”，可以透过深度学习算法来检测和分析反射高能电子衍射(RHEED)图像，使该系统可以在MBE磊晶过程中，即时监控原子层级的晶体生长表面，运用学习数据集来建立预测模型，并以该预测模型应用于磊晶片质量，提高生产良率。

高永中指出，英特磊与IVWorks公司自2018年起在GaN材料和磊晶技术即有密切合作，技术和行销联盟的框架于2019年形成，希望透过此次的合作案，利用英特磊公司在MBE的量产经验模式，以及硬体设备自主改造升级的实力，迅速将GaN磊晶片导入与IVWorks合作的产品组合，两家公司联手开发MBE制造的GaN磊晶产品全球业务，应用于RF(射频)和电力元件市场。

除与IVWorks公司合作，IET-KY氮化镓(GaN)机台已组装完成试机中，预计9月开始试产，目前公司亦已取得美国能源部合约，发展GaN/Si电力应用元件，高永中表示，今年氮化镓处于送样阶段，预计明年至少再增加1台机器，明年相关产品营收占比低于10%，2022年要看发展状况，公司也将视情况增加机台。