《产业》集邦：2025年AI笔电渗透率21.7%、AI伺服器出货成长逾28%

TrendForce分析，随技术迅速发展，具有AI功能的笔记型电脑未来几年内将逐渐成为市场标配。预计2025年AI笔电的渗透率将达到21.7%，并在2029年攀升至接近80%。而AI笔电的增量也将成为Arm架构渗透率攀升的一项主因。相比传统的x86架构，Arm具更高的能效和更强的可扩展性。随着终端推论的需求与日俱增，节能省电的议题将带动Arm架构笔电的市占率逐年增长，而Windows on Arm系统的普及，则会让更多消费者体验到这些高效能、低功耗的AI笔电。

即便目前AI应用仍依赖云端运算，TrendForce预期未来具有突破性的Edge AI将成为推动AI笔电普及的另一项重要助力。Edge AI将运算从云端移至本地，使笔电能更快、更有效率地处理语音指令和影像辨识等即时应用，强化用户体验。这种本地化处理也确保用户隐私，适合处理敏感数据，进一步增强消费者对AI 笔电的信任感。AI技术越趋成熟，Edge AI将为笔电的生产力创造智慧办公、自动化流程管理等更多可能性，以满足不同用户需求。

而在伺服器方面，受惠CSP及品牌客群对建置AI基础设施需求，估计2024年全球AI伺服器（含搭载GPU、FPGA、ASIC等）出货成长可达42%。2025年在CSP及主权云等高需求下，AI伺服器出货年增率可望超过28%，占整体伺服器比例达15%。

随NVIDIA B300、GB300采用HBM3e 12hi，2025年起12hi将跻身产业主流堆叠层数。SK hynix在12hi世代采用Advanced MR-MUF技术，在每层晶粒堆叠时添加中温的pre-bonding制程，并改良MUF材料，拉长制程时程以达成晶粒翘曲控制。

Samsung与Micron在12hi世代沿用TC-NCF堆叠架构，该技术的优势为易于控制晶粒翘曲，惟须承受制程时间较长、累积应力较大、散热能力较差等劣势，在量产时的良率拉升速度面临较大不确定性。

由于12hi层数的采用预计自HBM3延伸至HBM3e、HBM4、HBM4e (2027-2029年)，量产的时间跨度长，如何提升并稳固12hi制程的量产良率，明年将成为供应商的重中之重。2025年AI伺服器出货成长将逾28%，HBM 12hi量产良率提升速度成焦点受惠CSP及品牌客群对建置AI基础设施需求，估计2024年全球AI伺服器（含搭载GPU、FPGA、ASIC等）出货成长可达42%。2025年在CSP及主权云等高需求下，AI伺服器出货年增率可望超过28%，占整体伺服器比例达15%。随NVIDIA B300、GB300采用HBM3e 12hi，2025年起12hi将跻身产业主流堆叠层数。SK hynix在12hi世代采用Advanced MR-MUF技术，在每层晶粒堆叠时添加中温的pre-bonding制程，并改良MUF材料，拉长制程时程以达成晶粒翘曲控制。Samsung与Micron在12hi世代沿用TC-NCF堆叠架构，该技术的优势为易于控制晶粒翘曲，惟须承受制程时间较长、累积应力较大、散热能力较差等劣势，在量产时的良率拉升速度面临较大不确定性。由于12hi层数的采用预计自HBM3延伸至HBM3e、HBM4、HBM4e (2027-2029年)，量产的时间跨度长，如何提升并稳固12hi制程的量产良率，明年将成为供应商的重中之重。