长江存储NAND技术 只差韩2年

报导指出，中国政府与国企的大量银弹支援，成为中国半导体企业坚强后盾。图／新华社

中国正以举国之力拚半导体产业，在国家队重金投入后，带动长江存储等中企在记忆体领域直追全球霸主韩国，NAND技术当前更只落后韩企两年，未来有望借由新型封装等方式超车韩国。

韩媒Business Korea引述业内人士表示，中国正在记忆体领域追赶韩国，在DRAM方面，韩企对中企虽仍保持五年以上的技术差距。但在门槛较低的NAND Flash技术上，差距正快速缩小，中企距离韩国顶尖企业仅有两年的差距，且目前追赶速度愈来愈快。

报导指出，中国政府与国企的大量银弹支援，成为中国半导体企业坚强后盾，去年长江存储等中国存储晶片业者来自官方与国资的投资补贴将近人民币500亿元。当前长江存储的232层NAND技术，几乎逼近领军韩企三星和SK海力士的规模，前者据传有236层，后者最大层数为238层。

不久前，美国加州法院判决长江存储控告美光科技及全资子公司美光消费产品公司侵犯其专利，等于是直接展示中国厂商在NAND快闪记忆体上突飞猛进的成果。

业内人士表示，在中国政府持续投入下，记忆体等领域中韩差距缩小的速度将会加速。另有观点认为，随着摩尔定律逐渐遇上物理极限后，中国可能会抓住另一种机遇，透过高效封装的方式提升晶片竞争力。

报导指出，当前中国在半导体封装领域市占仅次于台湾，且去年在IDC封装企业榜中，有长电科技、通富微电、华天三家中企进入前十位，相较之下，韩国则没有企业上榜。

另有业内人士指出，就算中企有大幅进展，但他们仍使用过时与较旧型的制造设备来生产晶片，这可能代表中企产品的产量、良率较低，较没有市场竞争力。美国目前联合日本与荷兰扩大限制半导体设备输出中国，艾司摩尔对于当前荷兰政府规定表示，规定有涉及最先进的DUV设备，但并非所有浸润式DUV设备都无法出口中国。