大突破 陆制DUV光刻机 可生产65奈米以下晶片

荷兰政府近日才提高产业巨头艾司摩尔(ASML)旗下两款先进制程曝光机设备的出口限制,被认为是针对中国大陆而设。大陆在曝光机研发的最新进展,无异是为相关领域打了一剂强心针。

新浪财经报导,上述通知目录中的「积体电路生产装备」项目,列出了氟化氪光刻机和氟化氩光刻机。

工信部资讯显示,氟化氩光刻机使用波长为193奈米的雷射作为光源,具备极高的解析度(小于或等于65奈米)和精准的套刻精度(小于或等于8奈米),可用于制造先进制程的晶片。

芯智讯引述专家指出,氟化氪光刻机是老式的248奈米光源的KrF光刻机,解析度为小于或等于110奈米,套刻精度小于或等于25奈米;氟化氩光刻机则是193奈米光源的ArF曝光机(也被称为DUV曝光机),但披露的这款依然是干式DUV曝光机,而非更先进的浸没式DUV曝光机(也被称为ArFi曝光机)。

从官方披露的参数来看,该DUV曝光机解析度为小于或等于65奈米,套刻精度小于或等于8奈米。虽然相比之前上微的SSA600曝光机有所提升(解析度为90奈米),但是仍并未达到可以生产28奈米晶片的程度,更达不到制造8奈米、7奈米晶片的程度。

另外,消息指出,大陆国产氟化氩光刻机的研发,主要由中微半导体、上海微电子装备集团进行研发,中国科学院微电子研究所也有重要贡献。上海微电子曾完成大陆首台氟化氩(ArF)光刻机研制,并实现产品流片,且在2023年初,市场就传出上海微电子已在着手研发第二代浸没式曝光机。