碇基报喜 双面散热GaN通过测试

碇基在氮化镓功率半导体领域拥有15年以上的专业经验，全球已累积超过200件高价值专利。图／撷自网路

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全球电源管理领导厂商台达子公司碇基半导体（Ancora Semiconductor Inc.），宣布最新双面散热GaN氮化镓场效应电晶体，通过一系列严格的DMTBF（Demonstrated Mean Time Between Failures）测试。

此一测试，已验证碇基独有的双面散热元件FET-E6007PD020，其专利双面散热结构能有效地分离电气和热，进一步解决高功率产品的热导问题，在20万小时的长时间运作下，仍能维持优越效能，突显其产品的高信赖性与可靠度。

碇基的产品，已应用于台达和威刚合作开发的钛金级电源供应器XPG FUSION 1600W上。这次联手台达及威刚，进一步满足了客户对高效能电源的需求，提供更可靠的解决方案。

碇基总经理邢泰刚博士表示，宽能隙半导体GaN元件的应用，为电力电子带来了革命性的突破。运用GaN优异的物理特性，能够实现高效能和小型化。除了此款650V双面散热的GaN元件FET-E6007PD020，碇基半导体将持续拓展产品线，提供更多样化的氮化镓元件，以满足不同的设计需求。

台达电源及系统事业群总经理陈盈源指出，DMTBF测试结果证明了碇基产品的可靠性和稳定性，可实现更高的功率密度和更强大的节能效果。期待碇基推出更多产品，持续加速双边在高功率电源供应器的合作，为全球客户提供更优质的产品和服务。

碇基这款产品，易于实现顶部散热应用，同时具有降低电热耦合风险、促进散热效能等特点。

此外，特殊的封装结构可减少寄生电感，提高电源产品的效率，在高效能、高密度、高频率和温度控制方面表现更出色。

此系列产品各项表现，更能满足于伺服器、AI人工智慧、高效能运算、医疗、网通等先进应用。碇基在氮化镓功率半导体领域拥有15年以上的专业经验，全球已累积超过200件高价值专利。

多年来，与台积电、罗姆半导体（ROHM Co., Ltd）等业界领导公司紧密的合作，致力于为客户提供优质的宽能隙半导体解决方案。