DRAM狂涨 南亚科、华邦电受惠

利基型DRAM供应商之1月合并营收表现

国际三大DRAM厂去年第四季开始进行产能的配置,提高8Gb以上标准型伺服器DDR4投片量,并且增加行动式LPDDR及绘图型GDDR产出比重,导致4Gb以下容量利基型DRAM位元供给明显减少。由于先进驾驶辅助系统(ADAS)及车载娱乐车用电子工控及安防、WiFi装置智慧电视机上盒等应用对于利基型DRAM需求持续转强,在供不应求情况下,今年以来2Gb及4Gb DDR3现货价已大涨逾五成。

受惠于利基型DRAM价格大涨及出货畅旺,包括南亚科(2408)、华邦电(2344)、力积电(6770)、晶豪科(3006)直接受惠,今年1月合并营收表现优于预期。其中,力积电1月营收41.90亿元,晶豪科1月营收16.32亿元,均创下单月营收历史新高;华邦电1月营收69.03亿元为历史次高。

模组业者及OEM厂指出,中国农历年前的利基型4Gb DDR4现货价介于2.2~2.4美元之间,今年以来涨幅已达30%,利基型4Gb DDR3现货价达2.6~2.8美元之间,2Gb DDR3现货价达1.8~2.0美元之间,今年以来涨幅均超过50%。

由于市场供不应求缺口扩大,预期现货价持续看涨到第二季下旬,合约价在未来几个月累积涨幅应可达20~30%以上。

利基型DRAM价格涨翻天,但由供给面来看,三大DRAM厂去年第四季调整产品线,主要产能移转生产8Gb以上容量标准型及伺服器DDR4,增加LPDDR及GDDR产出比重,并策略性淡出4Gb以下容量利基型DRAM。

在供给减少但需求增加情况下,利基型DRAM供给缺口扩大,现货价一路拉升且涨势停不住,合约价跟进涨幅同步扩大。

国际三大DRAM厂减少4Gb以下容量利基型DRAM供货,系统厂及OEM厂订单大举转向台湾,包括南亚科、华邦电、力积电、晶豪科等接单全满,今年营运将逐季看旺到下半年。其中,南亚科及华邦电的上半年利基型DRAM产能已被客户预购一空,晶豪科在WiFi装置及行动路由器的利基型DRAM及MCP扩大出货,力积电的DRAM代工产能全满且价格跟涨。