反擊不實報導 美光宣稱 HBM4 量產提前一年達標 股價飆漲 10%

美光的 HBM4 产品已进入量产。路透

美光（Micron）财务长墨菲（Mark Murphy）表示，最新的高频宽记忆体HBM4 已进入量产，并开始供货给客户。美光周三股价应声大涨10%。

墨菲针对他所谓「不实报导」做出回应，他周三上午表示，美光的 HBM4 产品已进入量产。他指出，给客户的供货已「成功」出量，比公司原先预定的时程提前了一年。

墨菲强调，HBM良率如计划进展。他说：「我们对 HBM4 产品的效能、品质与可靠性充满信心。」

美光本周股价连二日下挫，有报导说竞争对手三星电子（Samsung Electronics）将于本月底开始量产 HBM4，用于辉达即将推出的 Vera Rubin 图形处理器（GPU）。另外，研究机构 SemiAnalysis 报告指出，由于美光无法达到辉达的网路传输速度（pin speed）要求，该公司HBM4 产品不太可能打入 Rubin 上市头一年的供应链。

墨菲表示，美光正处于「史上最佳的竞争位置，且时机点非常完美」。

他指出，大部分需求来自AI 基础建设，随着 Alphabet 旗下的 Google 以及亚马逊云端运算服务（AWS）等超大型云端业者纷纷上修资本支出预测，他预见需求会更强劲。由于 AI 模型变得更大、更复杂，记忆体已成为AI一次处理更多资讯不可或缺的元件。

墨菲坦言：「我们的供应量完全无法满足需求，且差距相当大。」他说，美光正透过各种方式投资以维持供给，包括预计在明年中投产的新建产能。

美光上月底宣布，计划在新加坡厂区增建先进晶圆厂，用于生产 NAND 快闪记忆体。NAND 在资料中心运行 AI 模型（即推论过程）中扮演重要角色，需求同样持续飙升。

墨菲表示，受限于供应压力，美光正处于「有利的市场行情」。美光尚未调升财报展望，但他表示，与去年 12 月发布财报时相比，美光的看法已变得更加乐观。

摩根士丹利分析师摩尔（Joseph Moore）周三指出，美光可望持续受惠于记忆体价格飙涨。他补充，目前的市场状况显示，美光在会计年度第2季（12月至2月）营收可能达到甚至超过财测区间的高标。美光 12 月预估第2季度营收为 187 亿美元（上下浮动 4 亿美元），远高于 FactSet 分析师原先预期的 143 亿美元。

对此，摩尔表示，从美光展望来看，DRAM 和 NAND 的平均售价，将比前一季成长约 30%。