供辉达HBM良率低 美韩大厂伤神

良率是半导体大厂长期面对的课题，因为良率高低攸关一片晶圆产出的晶片数量，因此台积电及三星电子等晶圆代工业者一直将提升良率视为首要目标。如今随着AI处理器需求快速扩大，记忆体晶片大厂也开始为良率问题感到头痛。

DealSite报导，近日SK海力士及美光为了让HBM晶片通过辉达高品质测试门槛，已经吃足苦头。HBM晶片良率之所以低于传统记忆体晶片，是因为复杂的堆叠架构牵涉多重记忆体阶层及连接各层晶片的直通矽晶穿孔（TSV）技术，相对提高制造难度。

在HBM的多层堆叠架构下，只要有其中的一片晶片出现瑕疵，就会导致整个封装报废。内情人士透露，目前HBM整体良率约在65％。业者在试图提升良率的过程中，产量势必会先减少，而如何在良率与产量之间取得平衡正是SK海力士及美光面临的最大难题。

美光在今年2月宣布开始为辉达H200 AI处理器生产HBM3E晶片，成为SK海力士以外另一家辉达记忆体供应商。SK海力士也不甘示弱，宣称今年旗下HBM晶片全部售罄，将提前开始为明年产能做准备。

SK海力士先前公布去年第四季转亏为盈时曾表示，该公司在AI记忆体领域的领导技术是促成去年底恢复获利的最大功臣。SK海力士HBM3晶片生产进度超前对手，率先成为辉达上游供应商。SK海力士财务长金祐贤甚至宣称，未来SK海力士将彻底成为一家AI记忆体晶片大厂。