工研院携手阳交、清大创新合作 可应用量子电脑与半导体

工研院携手国立阳明交通大学，在全球顶尖的研发会上，发表新型磁性记忆体。(图／工研院提供)

创新研发！工研院携手国立阳明交通大学与国立清华大学，在超大型积体技术及电路国际会议、IEEE国际微波会议上，分别发表「新型磁性记忆体」与「110GHz超高频模型」两项成果论文。前者适用主流先进制程所需AI高速运算能力及制程微缩需求，后者可优化半导体产业界模型。

工研院电子与光电系统所所长张世杰表示，AI人工智慧、5G 时代来临，快速处理大量资料的需求暴增，由于磁阻式随机存取记忆体（MRAM）具有高写入与读取速度，兼具快闪记忆体非挥发性，工研院多年前展开研究，成功开发出国际领先的磁性记忆体与相关运算技术。

这次工研院携手阳明交大共同发表新型单极化磁性记忆体Unipolar-MRAM，一般要写入资讯必须要透过双向电压来控制，新型磁性记忆体只要利用单向电压即可存储和读取数据，在简单的交点式结构达成高度元件微缩，不但较传统磁性记忆体具有更高存取速度、低功耗和更长的数据保持时间，更可与既有的二极体与相关制程整合，实现较以往更高的储存密度。

未来数据存储解决方案除了可应用在物联网设备、智慧手机、车载电子和人工智能等领域，在量子电脑、航太领域等前瞻应用更是潜力强大。

另为了强化B5G、6G国产化产业链，工研院多年前从磊晶上游端串联国内基板、半导体晶圆代工、封装与网通等业者，建立完整的产业链，并与清大教授徐硕鸿团队在元件开发、自主模型建立、电路设计上合作，突破高频电路效能。

今年双方也合作在IEEE发表基于自主超高频模型下实现110GHz振荡器电路创新成果。在0.15um的氮化镓制程下，可达到世界最高频110GHz振荡器记绿。且技术团队提出的自主三端电路模型为新结构自主模型，不仅可优化业界半导体厂提供的模型，更在110GHz高频达到极高准确度，未来将以此关键技术持续拓展国际合作契机。