合肥领航微系统申请芯片用 SOI 衬底制备工艺专利，提高结构柔性增大振幅最大程度释放器件性能

金融界 2024 年 12 月 12 日消息，国家知识产权局信息显示，合肥领航微系统集成有限公司申请一项名为“一种芯片用 SOI 衬底的制备工艺”的专利，公开号 CN 119108335 A，申请日期为 2023 年 9 月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体工艺技术领域，尤其涉及一种芯片用 SOI 衬底的制备工艺，包括以下步骤：准备衬底，衬底包括由埋氧层连接的底硅和顶硅；刻蚀顶硅，使顶硅产生缝隙，缝隙使顶硅由内向外形成相互独立的振动部和固定部；在缝隙中填充聚合物，聚合物用于连接振动部和固定部；刻蚀底硅和埋氧层，形成供振动部振动的空间。在芯片制备工艺中，在上电极、PZT、下电极完成图形化以后，本发明在刻蚀顶硅过程中，将顶硅原本的连接区域都刻掉，然后生长聚合物并图形化，来填充或制造连接结构，以提高结构柔性，增大振幅，最大程度的释放器件性能。

本文源自：金融界

作者：情报员