Imec：半导体2026进入埃米世代

半导体先进制程推进技术蓝图

比利时微电子研究中心（Imec）执行副总裁Jo De Boeck在日本国际半导体展（SEMICON Japan）说明摩尔定律的推进仍然有效。据今年参展设备业者透露，台积电的先进制程应会跟随Imec揭露的技术蓝图推进，2024年后进入2奈米世代，2028年进入10埃米世代。

设备商预期，台积电位于竹科宝山的Fab 20会是2奈米生产重镇，后续将会在台湾续建14埃米及10埃米晶圆厂，长线来看资本支出仍会维持上升趋势。

Imec指出，未来10年仍可维持每2年微缩一个制程节点的速度前进，预期2026年将进入埃米（angstorm）时代，2032年透过电晶体结构创新可进入5埃米。

有关摩尔定律是否有效的争论仍然存在，但随着极紫外光（EUV）的高数值孔径（High-NA）微影技术获得突破，逻辑晶片制程的微缩可望在未来10年维持每2年一个世代的步调推进。同时，配合电晶体架构的创新，imec预期先进制程可望在2032年进入5埃米世代，之后仍有机会往3埃米或2埃米方向发展。

电晶体架构的创新是逻辑制程得以依循摩尔定律前进的重要关键。Imec指出，电晶体架构鳍式场效电晶体（FinFET）转进环绕闸极电晶体（GAAFET）后，2奈米及更先进制程可望顺利微缩，并在2026年进入埃米世代。

台积电将在2024年之后量产2奈米，就是采用GAAFET奈米片（Nanosheet）架构。根据逻辑先进制程技术蓝图，2026年同一架构可以推进到14埃米（1.4奈米），2028年进入10埃米（1奈米）世代后，电晶体架构将转换至GAAFET叉型片（Forksheet），并在2030年推进至7埃米。至于2032年进入5埃米世代，预期互补式场效电晶体（Complementary FET，CFET）架构会是可行方案。

而随着埃米世代制程微缩，也需要新一代EUV微影技术及新世代材料支援。目前艾司摩尔（ASML）正与台积电、英特尔、三星等合作投入新一代High-NA的EUV技术开发，预期2025年后加强版2奈米可望先行试用，进入埃米世代后将会支援半导体厂量产。