交大校长张懋中 获2018 Vladimir Karapetoff科技终身成就奖章
▲交通大学张懋中校长荣膺HKN Vladimir Karapetoff 科技终身成就奖章（图／记者陈凯力翻摄）
国际电机电子工程师学会(IEEE)所属的ETA KAPPA NU (HKN)荣誉学会选出本年度的Vladimir Karapetoff科技终身成就奖得主。国立交通大学校长、中央研究院院士张懋中博士，因其对超高频半导体通讯元件和系统晶片的创新突破，及其对近代电子学和人类生活、文明所产生的不可或缺影响，荣获2018 Vladimir Karapetoff科技终身成就奖章，台湾时间17日于加拿大温哥华年会中隆重接受表扬。
Vladimir Karapetoff科技终身成就奖章于1992年成立，旨在表彰工程及科学领域的杰出终身成就。曾获得2000年诺贝尔物理奖的Jack Kilby；获得美国总统科学奖章的Tom Kailath；获得京都奖(Kyoto Prize)的DRAM发明人Robert Dennard；以及发明LED并获得美国总统科学及工程双奖章的Nick Holonyak都曾是历任得主。
张懋中校长在1990年代，于美国洛克威尔科学中心(Rockwell Science Center)高速电子实验室带领团队完成异质结双极性高速电晶体(HBT) 与积成电路的研究与开发，在成功量产后成为历代智慧手机必备发射器关键元件。其所开发的砷化镓功率放大器制成的手机信号发射器在全球独占鳌头，已超过100亿台，成为举世智慧型手机的首选，对无线通讯产业及学术界造成颠覆性的贡献。
他也对超高频无线及混合信号之积成电路及系统在通信、雷达、联结、影像、及光谱等系统的研究及开发贡献卓着，使其成为基础研究和实际应用双领域首屈一指的先驱学者。曾荣膺美国国家工程学院(National Academy of Engineering)院士、美国发明家学院(National Academy of Inventors)院士和中央研究院院士等殊荣。去年也荣获大不列颠工程与科技学会(IET)之 J. J. Thomson 奖章，在全球工程学界享有崇高的学术声望。此次获得2018 Vladimir Karapetoff 科技终身成就奖，再次肯定他在教育及学术上的全球领导地位。