晶合集成：55纳米单芯片、高像素背照式图像传感器批量量产

晶合集成官微4月9日消息，继90纳米CIS和55纳米堆栈式CIS实现量产之后，该公司CIS再添新产品。晶合集成55纳米单芯片、高像素背照式图像传感器（BSI）近期迎来批量量产，实现赋能智能手机的不同应用场景，并由中低端向中高端应用跨越式迈进。晶合集成方面表示，公司规划CIS产能将在今年内迎来倍速增长，出货量占比将显著提升，成为显示驱动芯片之外的第二大产品主轴。