良率超中国台湾厂，台积电亚利桑那工厂进展比想象好

台积电美国工厂试产良率赶超台湾本厂。

周五，据彭博社援引知情人士消息，台积电美国分部总裁Rick Cassidy于周三透露，台积电亚利桑那工厂的试产良率已超出其中国台湾同级厂房约4个百分点。

良率指生产芯片中合格产品的比例，是半导体行业的关键衡量标准之一。一般来说，良率越高，生产率越高。

在上周的财报电话会上，台积电董事长魏哲家曾表示：

根据规划，台积电将在美国亚利桑那州凤凰城建设三座晶圆厂，其中晶圆一厂（Fab21）是4nm制程晶圆厂，晶圆二厂则是3nm晶圆厂，三厂则预计在本世纪20年代底（2029-2030年）采用2nm或更先进的制程技术进行生产。

台积电原计划在2024年让其首座亚利桑那州工厂全面投产，但由于缺乏熟练工人，将这一目标推迟到了2025年，并将二厂的启动日期从2026年推迟至2027-2028年。这一举措曾引发对台积电美国工厂生产效率的担忧。

目前，魏哲家对美国工厂前景持乐观态度，他在上周的电话会上表示：