美光1-gamma制程DRAM试产

美光在其法说会中指出，该公司四分之三DRAM记忆体颗粒在1-alpha及1-beta节点生产，NAND Flash快闪记忆体则有90％产能，以176/232层制程生产。

美光率先业界完成单层结构的32GB晶片、128GB伺服器记忆体验证，预计半年内记忆体模组可达数亿美元营收目标。

在消费性存储产品方面，美光表示，消费性固态硬碟产品QLC颗粒出货量创新高，占整体出货量三分之二，巩固该公司在消费性QLC固态硬碟领导者地位。

在高频宽记忆体（HBM）部分，美光开始生产HBM3E，用于辉达（NVIDIA）H200，12-Hi HBM3E（36GB）已送样，并预期于2025年贡献，目前2024年HBM产品已售罄。