美光宣布量產第九代TLC NAND並已出貨

美光宣布量产第九代TLC NAND并已出货。图/美光提供

美商记忆体大厂美光科技今日宣布，采用第九代(G9) TLC NAND技术的固态硬碟（SSD）现已开始出货，成为首家达成这项里程碑的企业。美光第九代的NAND每秒传输速率达3.6GB，居业界之冠，为资料读取及写入提供无可比拟的频宽，有利于在个人装置、边缘伺服器，或是企业及云端资料中心，展现展现同级最佳效能，并满足AI人工智慧及其他运用大量资料的使用情境。

美光强调第九代储存型快闪记忆体（NAND）正式出货，证明美光在制程技术与设计创新上的强大实力，相较于目前市面上的竞品，美光G9 NAND的密度提高73%，可建构体积更小、效能更高的储存方案，对消费者和企业均有益」。

美光指出，美光G9 NAND的资料传输速率比同级产品加快50%；每晶粒写入频宽扩大达99%、读取频宽扩大达88%，从每颗晶粒就占尽优势，有助于SSD和嵌入式NAND解决方案的效能及功耗表现。

美光G9 NAND延续前代产品特色，采用11.5mm x 13.5mm封装，体积较竞品缩小28%，成为市售体积最小的高密度NAND[，由于密度提高、体积缩小，更能自由设计各种使用情境。

美光执行副总裁暨事业长Sumit Sadana强调：「美光已在连续三代产品中，均引领业界推出创新和顶尖的NAND技术。美光G9 NAND可为其整合产品提供显著优于竞品之表现，并可做为储存创新的基础，为各终端市场客户创造价值」。

美光也将第九代NAND产品推出2650 NVMe SSD，推进TLC用户端SSD的极限，这款硬碟产品在PCMark 10的测试标准中，表现比竞品高出38%，将重新定义同等级SSD的使用者体验。

IDC固态硬碟及创新技术研究部门副总裁Jeff Janukowicz表示：「AI演进增加资料生成量，也因此需要更大储存空间，客户亦要求提升效能，以跟上AI发展速度。美光2650等SSD产品受惠于新一代NAND创新，将成为企业和个别消费者不可或缺的关键技术」。

美光表示，2650 NVMe SSD提供领先同级产品的稳定度，主打有助效能的加速快取，借由Dynamic SLC Cache，进一步提高写入表现。其连续读取速率高达7,000 MB/s，相较于竞品，连续读取速率最高提升70%、连续写入速率最高提升103%、随机读取速率最高提升156%、随机写入速率最高提升85%[6]，这些优异数据突显美光决心突破技术极限，为客户缔造无与伦比的表现。

美光表示，G9 NAND除了内建于美光2650 SSD提供给客户端OEM，也可以零组件或嵌入消费者Crucial SSD形式供应给客户。