摩根士丹利：新一轮内存“超级周期”，2025年将出现“前所未有”的供需失衡

人工智能需求推动，叠加过去两年资本支出不足，内存市场正迎来前所未有的“超级周期”。

摩根士丹利在新一期报告中指出，存储将出现“前所未有”的供需失衡，内存的价格也水涨船高：

进一步来看，在内存市场中的战略地位的公司SK海力士和三星市场份额将进一步增长：

值得一提的是，客户的行为已经发生了变化，他们现在更加重视确保能够获得足够的内存供应，而不是仅仅关注价格。由于供应的不确定性，客户愿意为确保供应支付更高的价格

这个存储周期有所不同

摩根士丹利指出，从历史来看，内存市场周期性明显，周期整体路径相似。一般是资本投资周期较长，扩展产能需要2-3个季度，而新工厂建设需要2-3年。

但这个周期有所不同，摩根士丹利指出：

摩根士丹利预计，到2025年，HBM市场份额占比将增长，整体市场供应不足将更明显：

价格方面，SK海力士和三星电子都在积极扩展HBM和DRAM的生产能力，预计2024年第二季度DRAM合同价格将环比上涨13-18%，第三季度可能上涨10-15%。摩根士丹利表示：

行业龙头公司市场份额将进一步增长

AI驱动的内存“超级周期”将为行业战略地位的公司：SK海力士和三星电子带来份额的增长。

摩根士丹利将SK海力士目标价提高11%至30万韩元，较目前有约30%的上涨空间，其预计海力士2024年和2025年的每股收益将比市场预期高出59%，海力士2024年第三季度的业绩指引将会更高。

摩根士丹利将三星电子目标价提高至10.5万韩元，较目前有36%上涨空间，并指出三星电子获得英伟达的资格在2025年将至关重要。

对三星来说，最好的结果是明年获得HBM3E资格，以避免GPU需求出现任何供应中断。最糟糕的情况是，三星可能需要将超过50亿Gb的HBM晶圆产能转向商品DRAM市场。如果三星的HBM晶圆产能转向DRAM，这可能会对DRAM市场供应产生显著影响，增加供应增长。

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