目标对准5nm以下，中企释放关键信号，欧美不愿看到的情况出现了

在9月中旬，工信部放出了一条大新闻，那就是我们国家成功造出了分辨率小于等于65纳米的氟化氩光刻机，一下子就把国内外的目光都给吸引过来了。更厉害的是，它的套刻精度能达到8纳米以下。

虽然这机器的最高精度是65纳米，但要知道，四年前我们国产光刻机还在90纳米的水平晃悠。所以说，这次的进步就是一座重要的里程碑，也说明我们推进光刻机的计划是真的见效了。往后十年里，国产光刻机怕是要迎来一场大爆炸式的发展，这事儿把欧美日韩都给吓得不轻。

历史上ASML就是个例子，2002年一推出65纳米分辨率的光刻机，从此就在光刻机界开了挂似的。还有，我们现在搞的还是干式光刻机，这意味着以后还能往浸润式光刻机发展。要是真把浸润式的给攻克下来，那下一台国产光刻机的精度说不定就能冲到36.5纳米，ASML当年就是这么走过来的。

当然，这条路肯定不好走，但我们有的是时间。就在国产光刻机往前冲的时候，中国光谷那边也发了个官方消息，说武汉太紫微光电科技有限公司搞出的T150A光刻胶产品，已经过了半导体工艺的量产验证。

简单来说，光刻机刻芯片不是直接上手就干的，要有个帮手，那就是光刻胶。如果把芯片光刻比作老式的胶片相机拍照，光刻胶就是那个胶片，要靠它让电路图在芯片上显出来，后面才好刻。

以前，我们一直依赖日本进口光刻胶，结果美国一限制我们，日本也跟着添堵，芯片制造就更难了。所以，我们就拼命攻关国产光刻胶技术。

功夫不负有心人，我们现在T150A光刻胶的分辨率能达到120纳米，还能用在5纳米及以下的芯片生产上。就是说，在光刻胶领域，我们已经走到世界前列了，欧美日韩再想在光刻胶上卡我们脖子，门儿都没有。

我们的国产光刻胶目标可是定在5纳米这个档次上，不光能自己用，还能卖到国际市场上，和那些欧美日的光刻胶大佬比划比划。很显然，这不是欧美想看的情况。

回归以往，中国企业一旦突破某项技术，进入国际市场，别的企业就要靠边站。盾构机是这样，通信设备也是这样，接下来光刻胶也会是这样。

我们从光刻机到光刻胶都取得了突破，拜登团队可就成笑话了。他们封锁咱们的计划，不光没挡住我们的发展，还把自己企业的路给挤窄了，真是偷鸡不成蚀把米。

其实他们心里也清楚挡不住我们，但还是一条路走到黑，无非就是想多撑一会儿他们的科技霸权。但这只是自欺欺人，根本没用。

外国媒体也对我们国产光刻胶的突破感到惊讶，说中国这速度也太快了，毕竟四年前我们的光刻胶还落后得很。对此，你们怎么看？