南京镭芯光电取得增加芯粒良率的双共振腔选择性出光DFB结构专利，提升芯粒良率

金融界2024年11月8日消息，国家知识产权局信息显示，南京镭芯光电有限公司取得一项名为“一种增加芯粒良率的双共振腔选择性出光DFB结构”的专利，授权公告号CN 221961385 U，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种增加芯粒良率的双共振腔选择性出光DFB结构，涉及分布式反馈激光器领域，包括芯粒，芯粒由第一金属接面层、P‑InGaAs层、主动层、p‑InP层、第一n‑InP层、第二n‑InP层、第二金属接面层组成；芯粒内部设置有若干共振腔，共振腔的外侧设置有双埋入式异质结构平台。本实用新型为两个共振腔，让光子可分别在两个独立不同的共振腔内来回震荡，可提升芯粒良率，进而优于市场价格，提高产能，降低成本。

本文源自：金融界

作者：情报员