拚8吋材国产 化合物半导体推二期

经济部明年起将拨约3亿元推动化合物半导体关键材料二期。图为9月举办的SEMICON Taiwan 2023国际半导体展。（本报系资料照片）

俗称第三类半导体的「化合物半导体」是蓝海市场，为抢占关键材料国产化，经济部继扶植6吋晶圆材料发展后，明年起再拨出约3亿元推动化合物半导体关键材料二期，锁定下阶段主流8吋晶圆，预计扶植6到7家台厂，进行长晶用石墨坩埚、多晶基板、晶锭切割材等开发，要让厂商打入供应链之中。

第三类半导体主要是碳化矽（SiC）与氮化镓（GaN）两种晶圆材料，其具有高频、耐高电压优点，适合用在5G／6G、电动车、低轨卫星产业上。但其晶圆制程的高成本及低良率，是目前遇到的难题。

发展第三类半导体，关键要掌握上游晶圆材料技术。台湾虽贵为半导体王国，这块却主要是美日垂直整合制造商（IDM）天下，包括美国科锐（Wolfspeed）日本罗姆（ROHM）等，都是SiC基板市场主要供应商。台湾SiC产业链从材料、长晶、磊晶与元件代工都有厂商投入，但与国际能量尚有距离。

行政院科技会报办公室已拟定2030年，要推动化合物半导体进入8吋时代。经济部方面为此配合，从设备、产业发展、关键材料三面向提出计划协助发展，主要锁定制程设备、关键材料两类，要达成国产化。

晶片制造要先有平稳的基板，这牵涉晶种品质、热场与坩埚环境。而长出SiC晶锭后，还得接着进行切割、磨平、抛光。因此经济部2022年推动「化合物半导体关键材料计划一期」，扶植6到7家进行切抛磨、磊晶的材料自主研发商。

但一期主要锁定6吋SiC晶圆，今年底再公告关键材料推动二期，经济部官员说，这次再编约3亿台币，从2024进行到2025年，主要补助下阶段的8吋SiC晶圆，聚焦长晶用石墨坩埚、多晶AlN基板、晶锭切割材、磊晶／元件制程材料开发。

官员说，计划目标协助业者掌握影响良率的关键原物料，加速国内厂商材料导入市场。未来做出产品后，主要先供应国内制程，成熟后也放眼外销抢市场。

申请关键材料补助业者，需提出投资与计划效益，经济部补助最高一半金额。官员强调，为了技术可以立刻进行商品化应用，申请业者须有能力导入下游厂进行场域验证或拿采购订单。