强茂攻SiC 明年业绩添柴火

二极体厂强茂（2481）持续拓展资料中心、电动车等高阶市场，传出已经开始扩大布局碳化矽（SiC）等第三代材料半导体市场，并已经在2020年第二季开始送样SiC二极体，第四季更将送样给客户更加高阶的遮罩闸沟槽式（Shield Gate Trench）MOSFET产品，营运效益将有望在2021年开始发酵。

电动车发展迅速，目前除车内电子设备增加需要大量二极体及MOSFET外，应用在电动车充电线材及电动桩等更是大量增加，由于SiC具备高耐压及低抗阻等特性，可让电源转换效率更佳，换句话说充电速率将会更加迅速。

强茂近年来不断向高阶市场发展，市场传出，强茂正大力拓展SiC等第三代材料材半导体市场，且成功开发出SiC二极体并在第二季进入送样程序，第四季将会送样60-150V的Shield Gate Trench MOSFET，预期最快有机会在2021年开始量产出货。

法人指出，SiC二极体除未来将会被大量应用在电动车市场之外，资料中心、工控等高阶市场亦可望成为采用SiC的主要领域，随着SiC市场未来将可望成为未来新星，强茂将有望借此抢攻大量商机。

据了解，强茂除掌握第三代材料半导体技术SiC外，同时也开始全力抢攻650-1200V的绝缘栅双极电晶体（IGBT）产品，目标同样是瞄准高阶工控市场。法人指出，强茂目前在2021年规划15亿元的资本支出抢攻高阶市场，将有助于整体毛利率向上成长。