三星拚明后年要追上台积电 研调看衰

DIGITIMES Research指出，逻辑晶片制程现已达5奈米节点，且量产业者为数有限，台积电虽技术领先，但三星亦积极追赶，除4奈米制程将在2021年下半推出之外，并将在3奈米启用环绕式闸极场效电晶体（GAAFET）技术欲超越台积电，然三星已推迟3奈米制程至2023年量产，恐使其更难追赶台积电。

据了解，台积电的3奈米制程目前已经进入装机阶段，预计2022年下半年将进入量产，目前供应链陆续传出既有大客户苹果将继续采用之外，英特尔也将在台积电3奈米制程投片量产，显示台积电在先进制程技术上仍旧远远领先三星。

依据三星的资料，因其5奈米技术仅为7奈米的改良版，对比台积电同样制程节点，三星在晶片速度提升、功耗改善表现相对落后；同时，三星4奈米制程虽将在2021年量产，但推算其制造的晶片性能表现，恐仅与采用台积电5奈米技术制造的晶片相当。

DIGITIMES Research表示，三星虽将在3奈米制程率先量产GAAFET，速度优于台积电预计在2奈米制程启用的GAAFET，但三星所制造的晶片速度与功耗改善预估仅与台积电3奈米技术相当。

而三星将3奈米技术量产时程从2022年延至2023年，意味台积电2022年量产3奈米时，三星将由第二代4奈米制程应战，且三星领先台积电量产GAAFET技术的时间恐由一年半大幅缩短至约半年。

即使三星「系统半导体愿景2030」（System Semiconductor Vision 2030）战略将砸逾1500亿美元加强技术研发、EUV设备采购与产能布建，欲夺下全球逻辑晶片制造的龙头地位，然考量与台积电既有技术差距、新技术量产时点、EUV设备数量、资本支出规模等，DIGITIMES Research分析师陈泽嘉认为，三星的愿景恐不易达成。