三星又呛声！称GAA技术领先台积电 现实数据大打脸

三星电子称GAA技术领先主要竞争对手台积电。(图/美联社)

南韩科技大厂三星电子不断声称要在20230年非记忆体的全球系统半导体龙头，并打算在下一代制程节点3奈米制程采用环绕闸极技术（Gate-All-AroundGAA），三星在25日线上召开的三星科技暨事业论坛(Samsung Tech & Career Forum)指出，三星GAA技术开发进度不会输给主要竞争对手、也就是全球晶圆代工龙头台积电。

据《Business Korea》报导，三星「装置解决方案」(Device Solution DS)事业部科技长Jeong Eun-seung在论坛上提及，三星2017年才将晶圆代工业务独立出来，并以该公司在记忆体市业成长性来看，三星表示，从多重闸道 3D 电晶体的鳍式场效电晶体(FinFET)发展至4D的GAA技术，领先主要竞争对手台积电，预料晶圆代工事业发展迟早会超越台积电。Jeong Eun-seung举例，三星曾经开发出的采用FinFET架构的14MHz产品，也领先过台积电。

根据三星2019年与客户测试的3奈米制程产品，GAA技术的晶片面积缩减45%，效能增加50%。三星今年3月于IEEE 国际积体电路会议公布3奈米制程GAA技术细节。日前也宣布，三星3奈米制程正式流片 (Tape Out)，主要是与新思科技 (Synopsys) 合作，加速为 GAA技术提供最佳化解决方案，预料将运用在在高效能运算 (HPC)、5G、通讯、AI等应用领域上。

三星7月进一步透露，与7奈米LPP制程相比，3GAAE制程可以在同样功耗下提高性能30%，或是在同样频率下降低功耗50%，电晶体密度提升80%。

事实上，三星虽然多次放话将超越台积电，但《BusinessKorea》就曾报导，台积电、三星、IBM以及格罗方德，申请 GAA 制程专利数量分别占比31.4%、20.6%、10.2%、5.5%，显示台积电就算GAA技术较就算直至2奈米制程才导入，仍在研发竞争力上超过竞争对手。