涉嫌對陸洩漏晶片技術 三星前高管和前首席研究員被捕

位于南韩京畿道水原市的三星电子总部前飘扬三星商标旗帜和南韩国旗。路透社

综合韩联社和朝鲜日报报导，首尔警察厅产业技术安全侦查队6日消息指出，66岁前三星电子常务、前SK海力士副社长崔珍奭（音同是），及60岁前首席研究员吴某涉嫌对中国大陆泄漏晶片核心技术被捕。

崔珍奭曾任三星电子常务、海力士半导体（现SK海力士）副社长，吴某则曾任三星电子首席研究员。他们涉嫌违反「产业技术法」和「防止不正当竞争及商业秘密保护法」，将生产20奈米制程晶片所需的温度、压力等700多个工艺流程图，泄漏给大陆成都高真科技公司进行产品研发。据悉，高真科技公司是崔珍奭2021年获得投资后创立，而吴某出任该公司高管。

南韩警方早在今年1月申请逮捕吴某但被驳回。警方之后补充侦查，再次提请逮捕，并一同逮捕崔珍奭。首尔中央地方法院日前批准逮捕。警方计划具体调查泄密过程，及是否因此获取经济利益等。

不过，朝鲜日报指出，崔珍奭去年6月就曾因涉嫌窃取三星电子晶片工厂设计图，并意图开设20奈米制程动态随机存取记忆体（DRAM）晶片的「三星电子复制工厂」而被拘留，于去年11月保释出狱。