世界斥資24億元參與漢磊私募 雙方結盟合作研發及製造8吋SiC

世界先进董事长方略宣布斥资24亿元参与汉磊私募，双方共同推动化合物半导体碳化矽（SiC）8吋晶圆技术研发与生产制造。图／联合报系资料照片

汉磊与世界先进今天举行董事会，会后发布重讯双方宣布策略合作，共同推动化合物半导体碳化矽（SiC）8吋晶圆技术研发与生产制造；世界将斥资新台币24.8亿元，认购汉磊5000万股私募普通股，取得13%股权。

汉磊发表声明表示，这次与世界先进合作将以8吋碳化矽半导体晶圆制造技术开发及未来量产为主，相关技术初期由汉磊转移，预计2026年下半年开始量产。

汉磊指出，碳化矽材料可以有效提升能源效率，可广泛应用于电动车、AI资料中心、绿能储能、工控及消费产品。透过结合与世界先进的技术优势和市场资源，将可创造更大价值。

汉磊董事长徐建华透过新闻稿说，汉磊集团的嘉晶与世界是长期矽磊晶的合作伙伴，这次透过引进世界先进入股，将使彼此策略合作更加紧密。

世界董事长方略表示，世界目前已有电源管理IC、分离式元件及氮化镓（GaN）相关技术，随着导入碳化矽技术，将成为完整第3类化合物半导体的8吋晶圆厂，提供从低功耗到高功率、低频到高频的完整电源管理技术平台，为客户提供更具竞争力的解决方案。

方略指出，希望能为客户的产品提供更具竞争力的全方位解决方案。 此外，世界先进也期许透过与汉磊携手研发创新绿能技术，为实现低碳永续的未来尽一份心力。