世界先進擬研發全球首例氮化鎵磊晶於八吋QST 基板 獲經部1.5億元補助

经济部已召开A+企业创新研发淬炼计划2024年第一次决审会议，今（15）日公布通过四项业界研发计划补助。其中，世界先进（5347）拟发展全球首例化合物半导体氮化镓磊晶于八吋QST基板（GaN-on-QST），以及1200V高效能氮化镓功率元件制程技术，主要用于车用及工业应用市场。本报资料照片

经济部已召开A+企业创新研发淬炼计划2024年第一次决审会议，今（15）日公布通过四项业界研发计划补助。其中，世界先进（5347）拟发展全球首例化合物半导体氮化镓磊晶于八吋QST基板（GaN-on-QST），以及1200V高效能氮化镓功率元件制程技术，主要用于车用及工业应用市场。该研发计划30个月，获得经济部1.5亿元研发补助。

世界先进系以「高功率暨高效能GaN on QST元件与制程技术开发计划」，向经济部产业技术司申请A+补助计划。经济部指出，这项计划充分利用GaN-on-QST八吋基板热匹配特性，预期提升元件耐压至1200V以上，开发后将可提供更优越的电动车车载充电器、充电桩等高压高功率系统的元件选择，结合效能和成本优势。研究机构Yole预估，2028年GaN整体市场需求将超过20亿美元。

经济部指出，世界先进这项研发计划将自2024年启动，预计于3年内完成开发进入量产，同时整合国内上下游产业，建立完整自主生态供应链，预估衍生投资所带来效益可带动上下游产业整体潜在就业机会，并以每年超过10%的比例持续成长。此全方位布局将可强化台湾于化合物半导体领域的自主开发实力，极大化氮化镓于电动车、数据中心电源系统、再生能源储能系统等市场的市占率，进而在全球竞争中获得战略优势。

除了世界先进外，经济部A+企业创新研发淬炼计划亦同步通过康淳科技等三家公司合作开发的「高离子通量低碳排创新海淡系统之关键材料技术开发计划」、福记冷冻食品「蛋原料品质暨储运数位协作开发计划」，以及安宏生医「针对雄激素受体：开发前列线癌治疗的前导化合物，并推进NMR-AI平台以增强药物设计能力」计划。