世界、汉磊 合攻八吋SiC

世界先进董事长方略。图／本报资料照片

世界先进及汉磊合作重点

世界先进（5347）与汉磊（3707）10日签订策略合作协议，双方将携手合作，推动碳化矽（SiC）八吋晶圆的技术研发与生产制造，世界先进并参与汉磊私募普通股认购，投资金额24.8亿元，以共同推动具竞争优势的产品制造服务，建立双方的长期策略合作关系。

汉磊办理私募增资案，世界先进认购50,000仟股，投资24.8亿元，将取得13％股权。

汉磊将于主管机关核准募资登记后，和世界先进展开合作。相关技术初期由汉磊转移，预计2026下半年开始量产。

结合双方的技术优势和市场资源，汉磊及世界先进并将共同进行SiC技术研发、市场推广，为客户创造更大的价值；未来双方亦将评估SiC技术研发及量产进度，进行更进一步的合作。

此次合作，将专注于八吋SiC半导体晶圆制造的技术开发及未来的量产，由于SiC的材料特性，可以有效提升能源效率，特别在因应全球暖化的节能减碳趋势下，其应用将普及到电动化车款（xEV）、AI资料中心、绿能储能及工控甚至消费性产品等。

汉磊董事长徐建华表示，汉磊集团旗下的嘉晶电子（3016）与世界先进长期以来即为矽磊晶事业合作伙伴，本次私募引进世界先进成为策略性股东，透过投资结合将使彼此间的策略合作更紧密。

汉磊与世界先进的合作，将在汉磊现有六吋晶圆制造技术及客户的基础上，共同合作进行八吋SiC技术平台开发及产能布建，以提供全球IDM及Fabless客户具有长期竞争力的解决方案。

本次策略合作可为世界先进、汉磊及嘉晶电子三方公司创造新的成长动能与合作综效，并为客户及股东权益创造更高价值。

世界先进董事长方略表示，世界先进与汉磊的策略伙伴关系，将两家公司的核心资源与优势紧密结合，为双方合作奠定互惠双赢的坚实基础。