SK海力士5层堆叠3D DRAM制造良率据悉已达56.1%
6月23日,据业内人士透露,SK海力士在6月16日至20日于美国夏威夷举行的著名半导体会议“VLSI 2024”上发表了有关3D DRAM的研究论文。SK海力士在论文中报告称,其5层堆叠的3D DRAM的制造良率已达56.1%。这意味着在单个测试晶圆上制造的约1000个3D DRAM中生产出了约561个可行器件。实验性的3D DRAM显示出与目前使用的2D DRAM相似的特性。这是SK海力士首次披露其3D DRAM开发的具体数据和运行特性。(BusinessKorea)
相关资讯
- ▣ 消息称SK海力士5层堆叠3D DRAM制造良率已达56.1%
- ▣ SK海力士据悉考虑新建一家DRAM工厂
- SK海力士宣布本月底量产12层堆叠HBM3E,定制化将成为HBM发展趋势
- SK海力士DRAM事業轉盈
- ▣ SK海力士、台积电、英伟达据悉将合作开发下一代HBM
- ▣ SK海力士 開發新DRAM晶片
- ▣ TrendForce:美光、三星、SK海力士、模组厂已停止DRAM报价
- ▣ 三星据悉计划改用SK海力士的MUF封装工艺
- ▣ SK海力士拚Q4量产第六代DRAM
- ▣ 急改DRAM产线 SK海力士转生产HBM3E
- ▣ SK海力士据悉将在HBM生产中采用混合键合技术
- ▣ 特斯拉据悉要求三星和SK海力士提供HBM4芯片样品
- ▣ SK海力士首发第六代10纳米DRAM芯片
- 路透:HBM良率不佳 三星放下尊嚴追隨SK海力士製造技術
- ▣ SK海力士开发出第六代10纳米级DDR5 DRAM
- ▣ SK 海力士、三星电子:整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存
- ▣ SK海力士第六代DRAM 提前今年第4季量产
- ▣ 通用DRAM需求尚未恢复 三星和SK海力士相关工厂开工率80%-90%
- DRAM市況好轉 SK海力士Q1考慮縮小減產幅度
- ▣ SK海力士:今年HBM芯片占公司DRAM芯片销售比重预计达两位数
- ▣ 韩国电池制造商SK On据悉寻求筹集15亿美元资金
- ▣ 力积电:多层晶圆堆叠技术获AMD采用 开发3D AI芯片
- ▣ DRAM二哥SK海力士喊漲價 南亞科股價領軍上漲
- ▣ 技术突破!SK海力士首发第六代10纳米DRAM芯片
- ▣ SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DRAM
- SK海力士开发首款第六代DRAM晶片 速度提升11%
- ▣ SK海力士打造最大晶圓廠
- ▣ 《半导体》力积电3D晶圆堆叠、2.5D中介层 获国际大厂采用
- SK海力士五季來首見轉盈 預告DRAM、NAND Flash價量齊揚