SK海力士加深與台積合作 攜手晶圓一哥研發新型 HBM 基礎裸晶

SK海力士。路透

AI记忆体龙头SK海力士揭露其新世代记忆体技术蓝图，目标要跨过AI世代「记忆体高墙」的障碍，并透露正与台积电（2330）密切合作下一代高频宽记忆体（HBM）基础裸晶（base dies），目标成为「全线AI记忆体创造者」。

SK海力士在AI用的HBM洞烛机先，超越三星，成为业界霸主。SK海力士强调，记忆体不再只是一个普通元件，而是正在演变成AI产业中的核心价值产品。

SK海力士认为，尽管AI的采用正在加速中，导致资讯流量爆炸性成长，但支援这些成长的硬体技术，尤其是记忆体性能，未能与处理器的进步保持同步，形成所谓「记忆体高墙」的障碍。

SK海力士指出，集团一直扮演「全线记忆体供应商」角色，专注于及时提供符合客户需求的产品，然而，随着记忆体重要性增加，单纯的「供应商」角色已不足以满足市场需求，因此，集团新的目标是成为「全线AI记忆体创造者」。

SK海力士揭露其新世代记忆体技术蓝图，包括客制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）等三大方针。

SK海力士并针对AI DRAM（AI-D）细分为三大类，首先是AI-D O（Optimization）优化，主打低功耗、高性能DRAM，目的在降低总体拥有成本并提高营运效率。其次是AI-D B（Breakthrough）的突破，为克服「记忆体高墙」的解决方案产品，其特点是超高容量记忆体和灵活的记忆体分配。第三为 AI-D E（Expansion）的扩展，目的为扩展DRAM的使用案例，不仅限于资料中心，还扩展至机器人、移动性和工业自动化等领域，该解决方案包含HBM。

AI NAND（AI-N）方面， SK海力士也正准备三种下一代储存解决方案，包括AI-N P（Performance）提高性能、 AI-N B（Bandwidth）加大频宽、AI-N D（Density）发展密度。

SK海力士并透露，正与台积电密切合作下一代HBM基础裸晶。业界指出，SK海力士特别提到台积电，意味台积电在AI时代扮演的角色日益重要。

SK海力士是台积电于2022年成立的「3D Fabric联盟」的成员之一，双方积极加强合作。SK海力士去年与台积电签合作备忘录，携手进行HBM4研发。

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