SK海力士、台积 携手开发新HBM晶片
全球第二大记忆体晶片制造商韩国SK海力士18日宣布与台积电签署合作备忘录,联手开发下一代高频宽记忆体(HBM),计划于2026年投入量产。(中新社)
全球第二大记忆体晶片制造商韩国SK海力士18日宣布与台积电签署合作备忘录,联手开发下一代高频宽记忆体(HBM),计划于2026年投入量产。韩国媒体分析,本次合作旨在应对人工智慧(AI)需求爆炸性增长所带来的竞争压力,并重新塑造三星电子、SK海力士和台积电三方间的竞争格局。
声明指出,SK海力士与台积电双方已签署技术合作备忘录,以共同开发HBM4为核心,并加强在先进封装技术方面的合作。SK海力士表示,与台积电合作后,将以构建IC设计厂、晶圆代工厂、记忆体制造厂三方技术合作的方式,「力求突破记忆体性能的极限」。
SK海力士是全球目前唯一一家先进HBM晶片开发商。随着AI发展逐渐扩大,对HBM晶片的需求也随之爆发。《韩国经济新闻》指出,三星电子在高频宽记忆体和代工生产方面,分别为SK海力士和台积电的主要对手,本次跨国合作目标在于合力对抗来自三星的竞争。
合作中,双方计划首先提高HBM封装底部的基础晶片性能。HBM将基础晶片(即单独的DRAM晶片)堆叠在顶部,并利用矽穿孔(TSV)技术将其垂直连接。SK海力士于第五代HBM(HBM3E)时使用自家制程,但第六代HBM4计划使用与台积电合作的前端制程,以提高性能和能源效率、满足客户需求。
此外,双方还将加强整合SK海力士的HBM和台积电的CoWoS先进封装技术,以满足HBM相关客户的需求。CoWoS是台积电领先全球的技术,是一种将逻辑晶片和高频宽记忆体连接在一起的封装方法,目前主要用于应对大量运算需求。
SK海力士AI基础设施社长金柱善表示:「我们将透过与台积电合作开发最高性能的HBM4,并积极拓展与全球客户的开放性合作。今后将提升客制化记忆体平台的竞争力,巩固我们在人工智慧记忆体业界的全方位供应商地位」。
台积电资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示:「多年来,台积电与SK海力士已经建立稳固的合作伙伴关系。展望新一代HBM4,我们相信两家公司也通过密切合作提供最佳的整合产品,成为人工智慧领域创新的关键动力。」