天津中环申请一种半导体喷砂后清洗系统及工艺专利，简化槽体减少清洗设备占地面积

金融界2024年11月26日消息，国家知识产权局信息显示，天津中环领先材料技术有限公司 申请一项名为“一种半导体喷砂后清洗系统及工艺”的专利，公开号 CN 119016415 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体喷砂后清洗系统及工艺，涉及半导体清洗技术领域，该系统包括依次设置的预清洗部、砂浆去除部以及清洗部，其中，预清洗部用于清洗硅片表面的砂粒，包括第一槽体，第一槽体内均设置鼓泡管；砂浆去除部用于去除硅片表面的砂浆，包括第二槽体，第二槽体内设置第一清洁剂；清洗部用于对硅片进行表面颗粒及金属离子去除，包括依次设置的第三槽体、第四槽体和第五槽体，第四槽体内设置抛动托架和超声结构，且第四槽体内设置第二清洁剂，第三槽体与第五槽体均设置喷淋管和鼓泡管，简化了槽体，减少了清洗设备的占地面积。该工艺，采用上述系统，包括预清洗、砂浆去除、表面颗粒及金属离子去除，极大地提高了清洗良率。

本文源自：金融界

作者：情报员