意法半导体MasterGaNR系列新增优化的非对称拓扑产品

为延伸MasterGaNR平台的创新优势，横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出之MasterGaN2是新系列双非对称氮化镓（GaN）电晶体的首款产品，亦是一个适用于软开关有源钳位元反激拓扑的GaN整合化解决方案。

两个650V常关型GaN电晶体的导通电阻（RDS(on)）分别为150mΩ和225mΩ，每个电晶体皆整合一个优化的闸极驱动器，让GaN电晶体如普通矽元件一般便捷易用。其整合了先进驱动功能和GaN既有的性能优势，MasterGaN2可进一步提升有源钳位反激式转换器等拓扑电路之高效能、小体积和轻量化优势。

MasterGaN功率系统级封装（SiP）系列在同一封装中整合两个GaN高电子迁移率电晶体（High-Electron-Mobility Transis，HEMT）和配套的高压闸极驱动器，并内建了所有必备的保护功能。设计人员可以轻松地将霍尔感测器和DSP、FPGA或微控制器等外部装置与MasterGaN元件连线。输入相容3.3V-15V逻辑讯号，有助于简化电路设计和物料清单，并可使用更小的电路板，简化产品安装。这种整合方案有助于提升转接器和快充充电器的功率密度。

GaN技术正在推动USB-PD转接器和智慧型手机充电器朝快充发展。意法半导体的MasterGaN元件可让这些充电器体积缩小高达80％，同时减轻70％的重量，而充电速度是普通矽基解决方案的三倍。

内建保护功能包括高低边欠压锁定（Under-Voltage Lockout，UVLO）、闸极驱动器互锁、专用关闭脚位和过热保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN是为高压应用而优化的封装，高低压焊盘之间之安全距离超过2mm。