英飞凌聚焦SiC MOSFET 推新模组化评估平台

英飞凌（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出模组化评估平台，其核心包含一个主板与可互换的驱动器卡板，驱动器选项包括米勒钳制和双极供电卡；其他版本将于近期内推出。该产品系列有助于推动碳化矽成为主流，缩短多种应用的上市时程。

该主板设计的最高电压为800V，最大脉冲电流为130A。如要测量到最高175°C的温度，可将散热器搭配加热元件使用。

评估平台的主板分为一次侧和二次侧两个区块。一次侧含12V供电及脉冲宽度调变（PWM）；二次侧为驱动器的第二供电来源，以及包含用于测量电流和外部电感分流连接的半桥。驱动器的正操作电压调整范围介于+7.5至+20V之间，负电压介于+1V至-4.5V。主板设计的最高电压为800V，最大脉冲电流为130A。如要测量到最高175°C的温度，可将散热器搭配加热元件使用。

驱动器卡板采用EiceDRIVER系列的驱动器IC，适合SiC功率装置的高频切换，可提供两种驱动器选项的参考设计。第一个模组化驱动器卡板内含1EDC Compact 1EDC20I12MH，整合主动米勒钳制，启动电压通常低于2 V。第二个驱动器卡板内含1EDC Compact 1EDC60H12AH，可提供双极供电，VCC2为+15V，GND2为负电压。本产品系列新添这两款驱动器卡板后，将涵盖设计人员在设计SiC MOSFET驱动时偏好使用的绝大多数选项。