英飛凌領先全球 率先開發12吋氮化鎵功率半導體製程技術

英飞凌 CEO Jochen Hanebeck 手持全球首批12吋氮化镓（GaN）功率半导体晶圆，该晶圆是在现有的大批量且可扩展的生产环境中所制造。图／英飞凌提供

英飞凌今天宣布，已成功开发出全球首创12吋氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术，成为全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于8吋晶圆，12吋晶圆不仅更需要技术的领先性，也因晶圆直径的扩大，每片晶圆上的晶片数量增加了2.3倍，效率显著提高。

基于GaN的功率半导体正在工业、汽车、消费、运算和通讯应用中快速普及，包括AI系统电源、太阳能逆变器、充电器和适配器以及马达控制系统等。先进的GaN制程能够提高元件性能，为终端客户的应用带来诸多好处，包括更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和更低的总体成本。此外，凭借着可扩展性，12吋制程在客户供货方面具有极高的稳定性。

英飞凌执行长Jochen Hanebeck表示，这项重大成功是英飞凌的创新实力和全球团队努力工作的结果，进一步展现了我们在GaN和电源系统领域创新领导者的地位。这一技术突破将推动产业变革，使我们能够充分挖掘GaN的潜力。在收购GaN Systems公司近一年后，我们再次展现了在快速增长的GaN市场成为领导者的决心。作为电源系统领域的领导者，英飞凌充分掌握了全部三种相关材料：矽、碳化矽和氮化镓。

英飞凌已经成功在其奥地利菲拉赫（Villach） 功率晶圆厂中，利用现有12吋矽生产设备的整合试产线，制造出 12吋 GaN 晶圆。英飞凌正透过现有的12吋矽基以及8吋GaN 的成熟产能发挥其优势，同时还将根据市场需求进一步扩大GaN产能。凭借12吋 GaN制程技术，英飞凌将推动GaN市场的不断增长。据估计，到2030年末，GaN市场规模将达到数十亿美元。

这一开创性的技术成就彰显了英飞凌在全球电源系统和物联网半导体领域的领导者地位。英飞凌透过布局12吋 GaN制程技术，打造更具成本效益价值，能够满足客户系统全方位需求的产品，以强化现有的，并实现新的解决方案及应用领域。英飞凌将在2024年11月举行的慕尼黑电子展（electronica）上向大众展示首批12吋 GaN晶圆。

由于GaN和矽的制程十分相似，因此12吋 GaN技术的一大优势是可以利用现有的 12吋矽制造设备。英飞凌现有的大批量12吋矽生产线非常适合用于试产可靠的GaN技术，既加快了实现的速度，也有效地利用资本。12吋GaN的全规模化生产将有助于实现GaN 与矽的成本在同一RDS(on) 级别能够接近，这意味着同级矽和GaN产品的成本将能够持平。

英飞凌强调，12吋 GaN制程技术是公司战略创新领导地位的又一里程碑，也支援英飞凌推动低碳化和数位化的企业使命。

12吋晶圆因直径扩大，每片晶圆上的晶片数量较8吋晶圆增加了2.3倍，生产效率显著提高。图／英飞凌提供