影/联电严厉反击美光:15年前就投入DRAM、诉讼是假象

记者周康玉台北报导

日前联电美光诉讼美国司法部再度起诉,联电昨(9日)晚打破沉默,发出近千字声明指出,美光所指控盗用DRAM技术,但联电早在15年就就开始透入DRAM,且两项技术的元件构成,完全不同于美光,这场诉讼等于是制造假象

联电表示,联电从1996年起、15年前,就投入DRAM研发制造,曾经DRAM团队一度超过150人,因此,社会大众若以为联电没有任何DRAM的知识或经验,是错误印象;且美光所提出侵权的25奈米技术,也是在2010年初买下台湾瑞晶才取得的。

联电指出,目前共同经理简山杰就是1996年时开发DRAM产品的RAM制程开发经理;联还曾经将技术授权给美国的Alliance公司

晋华合作政府准的

联电更进一步针对政府出面干涉的晋华合作一案,联电表示,联电与晋华联合开发制程时,在做决策时,完全符合单纯商业交易考量,向台湾政府正式提出申请,也于2016年4月核准整个项目,但那时还未听说有中美贸易战

联电表示,联电投入与晋华合作的专案,已花费数亿台币,此外,团队近300人当中,不到10%的人曾在美光工作过。

联电表示,这场诉讼是制造假象,因为联电的DRAM技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计,联电的记忆体架构是3x2布局储存单元,美光是2x3布局的储存单元。

联电表示,公司不要只「在报刊上」进行这场诉讼,会全力捍卫任何子虚乌有的指控。

▼联电总经理简山杰出席曾担任DRAM团队干部。(图/记者张一中摄)

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