英诺赛科取得 MOCVD 设备及其防污结构专利，能够防止污染物进入反应器盖和顶板之间对晶圆造成污染

金融界 2024 年 11 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司取得一项名为“MOCVD 设备及其防污结构”的专利，授权公告号 CN 222024557 U，申请日期为 2024 年 1 月。

专利摘要显示，本实用新型涉及半导体加工技术领域，提供一种 MOCVD 设备及其防污结构。防污结构包括反应器盖和顶板，反应器盖和顶板相对设置，顶板位于反应器盖的下方，顶板的边缘沿斜向外的方向设有防污外缘，防污外缘的顶部高于反应器盖的下表面。本实用新型提供的防污结构，防污外缘能够对 MO 源挥发后产生的污染物起到导流和阻挡作用，防止污染物进入反应器盖和顶板之间对晶圆造成污染，解决了现有技术中 MOCVD 设备在进行多次连续的沉积运行后易对晶圆造成污染的缺陷，能够防止 MO 源挥发至反应器盖与顶板之间的间隙中掉落至晶圆表面，从而改善晶圆表面均匀性，防止在晶圆表面造成 Particle 风险。

本文源自：金融界

作者：情报员