英特爾CEO基辛格談美出口制裁 陸晶片技術落後十年

英特尔执行长基辛格。 路透

英特尔执行长基辛格在世界经济论坛（WEF）致词表示，美国的出口制裁在日本与荷兰配合下，将暂时把中国大陆半导体制程发展限制在7奈米以下，使陆厂技术比业界落后十年，且未来十年仍将维持这个差距。

基辛格说，美日荷的政策，将把大陆半导体产业制程局限于10奈米至7奈米。中芯（SMIC）目前具备7奈米技术，约比台积电（2330）、三星落后五年半；上海华力微电子（HLMC）2020年开始测试14奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程，落后台积电九到十年。

台积电、三星和英特尔则准备在未来数年启用最先进的3奈米、2奈米甚至更精密的制程。传闻台积电2奈米晶片将进驻订于2025年推出的iPhone 17。基辛格说，英特尔正积极开发2奈米以下技术，并放眼1.5奈米。

中芯和华力都使用荷兰、日本、南韩、台湾和美国供应的制造设备与材料，碍于供应受阻，陆厂不得不自行研发晶圆厂设备，并设法处理净化气体、阻剂，以及制造先进晶片所需的其他化学物。陆厂若无法取得先进晶片设备与技术，可能诉诸逆向工程与重制，以缩小落后全球半导体产业的差距。

基辛格估计，大陆半导体产业比全球标准落后约十年，预料在现行出口政策下，未来十年仍会维持这个差距。他也提到全球供应链的脆弱，并说明美国正设法藉「晶片法」提升美国技术自给自足，扭转数十年来晶片制造集中亚洲国家的趋势。