英特尔联电攻12奈米 为何爆大屠杀？内行曝猛然发现1事

研调机构认为，英特尔与联电合作是双赢局面。（示意图/达志影像/shutterstock）

英特尔携手联电共同开发12奈米制程技术，预计在2027年投入生产，但26日两家公司美国挂牌股价分别暴跌12%、5%。研调机构认为，此合作案由联电提供技术服务，英特尔提供现成工厂设施，双方共同营运，为双赢局面；不过，知名半导体分析陆行之表示，两家公司如何分营收、分利润，还是未知数，且拖到2027年才量产「感觉有点晚」。

研调机构集邦科技（TrendForce）指出，双方合作不仅帮助英特尔衔接IDM 转换至晶圆代工的生意模式，增加制程调度弹性并获取晶圆代工营运经验。

而联电也不需负担庞大的资本支出即可灵活运用FinFET产能，从成熟制程的竞局中另谋生路，同时借由共同营运Intel美国厂区，间接拓展工厂国际分布，分散地缘政治风险，此应为双赢局面。

研调表示，双方为减少厂务设施的额外投资成本，直接采用现有设备，针对 12nm FinFET 制程的合作案，也选择以英特尔现有相近制程技术的 Chandler/Arizona Fab22/32 为初期合作厂区，转换后产能维持原有规模，双方共同持有。

在此情况下，研调预估所产生的平均投资金额相较于购置全新机台，可省下逾80%，仅包含设备机台移装机的厂务二次配管费，以及其相关小型附属设备等支出。

联电因长期投入主力制程28/22奈米，并有高压制程等特殊技术优势，但在中国厂大量投入成熟制程趋势下，迫使联电重新思考跨入 FinFET 世代的必要性，扩产计划又须考量 FinFET 架构的高额投资成本，导致决定举棋不定。

合作案宣布后，联电可提供 12 奈米技术部分 IP协作开发，也会协助英特尔洽谈晶圆代工生意，联电不仅可利用现成 FinFET 产能，也不需摊提庞大的投资成本，又可在中国厂成熟制程的激烈竞局当中脱颖而出。

英特尔则以提供现有工厂设施，除可获得晶圆代工市场经验，扩大制程弹性及多元性，也可集中资源于3 奈米、2奈米等更先进制程开发。

研调预期，若双方后续合作顺利，英特尔可能考虑未来再将 1至2座 1X 奈米等级的 FinFET 厂区与联电共同管理；推测相近制程的 Ireland Fab24、Oregon D1B/D1C 为可能的候选厂区。

不过，联电做为主要技术 IP 提供者，其14奈米自 2017 年至今尚未正式大规模量产，12奈米也仍在研发阶段，预计2026年下半年将进入量产；因此双方的合作量产时程暂订在 2027 年，FinFET 架构技术稳定性仍待观察。

整体而言，研调认为，在成熟制程深耕多年的联电，与拥有先进技术的英特尔共同合作下，双方除了在 10 奈米等级制程获得彼此需要的资源，未来在各自专精领域上是否会有更深入的合作值得关注。

知名半导体分析陆行之在脸书发文表示，双方「怎么分营收，分利润？」还是未知数，2027年量产，感觉有点晚，所以这个合作案未来三年连获利都估不进去分析师的模型，要加上新设备的 lead time （准备时间）及 porting（移植时间）， 也要等到2025年才好。客户2025设计、2026 tape out（完成设计定案）， 大概率也要到2027年，才有办法出量贡献营收。