英特磊5月营收 写近五年新猷

英特磊指出，今年三大产品线营收都有所成长，包括磷化铟（InP）、锑化镓（GaSb）、砷化镓（GaAs）趋势全面向上，量产主力产品为磷化铟，以雪崩式光接收器（APD）为尤，今年有显著成长。

随物联网、5G持续快速发展，加上疫情后全球对云端作业需求加重，带动全球高频光纤网路加快增速增覆盖，而5G的基础建设及高频光纤网路中最重要的基本元件，就是磷化铟的APD、异质结双极电晶体（HBT）和晶片光接收器（PIN），随市场需求强劲，英特磊第二季订单无虞。

展望下半年，法人预期，迎接磷化铟、砷化镓出货高峰，英特磊营运可望有不错的成长空间，全年营收成长幅度看10～20％。

英特磊在研发方面聚焦氮化镓（GaN），高掺杂氮化镓二次生长被视为未来重要的成长动能，目前主要应用在国防、通讯及5G相关射频（RF）GaN HEMT磊晶片，其优势在于磊晶品质佳且价格相对低，可大幅为客户降低成本。新的趋势是八英寸GaN／Si也开始考虑使用这种二次生长，市场需求相当乐观。