中微半导体申请等离子体处理装置专利，降低移动环表面聚合物的沉积

金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“等离子体处理装置”的专利，公开号 CN 119170474 A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，一种等离子体处理装置，包括：反应腔；气体喷淋头，设于所述反应腔的顶部；下电极组件，设于所述反应腔内的底部，所述下电极组件与所述气体喷淋头相对设置；导电的移动环，设于所述气体喷淋头的外围，可上下移动；接地的等离子体约束环，设于所述下电极组件的外围导电垫片设于所述等离子体约束环与移动环之间，当所述移动环向下移动至工艺位置时，所述移动环通过所述导电垫片与等离子体约束环电连接接地。所述等离子体处理装置，有利于降低移动环表面聚合物的沉积。

本文源自：金融界

作者：情报员