高通公司申请封装端子晶体管专利，提升晶体管性能

金融界 2024 年 8 月 20 日消息，天眼查知识产权信息显示，高通股份有限公司申请一项名为“封装端子晶体管“，公开号 CN202380016690.7，申请日期为 2023 年 2 月。

专利摘要显示，管芯包括：鳍，该鳍在第一方向上延伸；栅极，该栅极形成于该鳍上方并在垂直于该第一方向的第二方向上延伸；第一源极/漏极接触层，该第一源极/漏极接触层形成于该鳍上方并在该第二方向上延伸；和第二源极/漏极接触层，该第二源极/漏极接触层形成于该鳍上方并在该第二方向上延伸，其中该第一源极/漏极接触层和该第二源极/漏极接触层位于该栅极的相对侧。该管芯还包括：第一源极/漏极金属层，该第一源极/漏极金属层电耦合到该第一源极/漏极接触层；和第二源极/漏极金属层，该第二源极/漏极金属层电耦合到该第二源极/漏极接触层，其中该第一源极/漏极金属层和该第二源极/漏极金属层不与该鳍中的一个或多个鳍重叠。

本文源自：金融界

作者：情报员