高通取得带有突出部和场板的氮化镓高电子迁移率晶体管专利

金融界2024年12月14日消息，国家知识产权局信息显示，高通股份有限公司取得一项名为“带有突出部和场板的氮化镓高电子迁移率晶体管”的专利，授权公告号 CN 112585762 B，申请日期为2019年6月。

本文源自：金融界

作者：情报员