继2月抢先量产HBM3E晶片 美光获辉达H200订单

加密币交易所Coinbase在12日宣布，计划发行10亿美元可转换公司债。图／美联社

韩媒《中央日报》报导，2024年2月美光（Micron）领先业界开始量产最新高频宽记忆体HBM3E后，近日已抢下辉达H200 AI GPU订单，震惊三星电子及SK海力士两大韩国对手。

据了解，辉达即将推出的H200处理器将采用最新HBM3E晶片，比H100处理器采用的HBM3晶片更强大。

《中央日报》报导，美光之所以抢下H200订单是因为美光HBM3E晶片采用的1b奈米技术相当于12奈米技术，与SK海力士生产HBM晶片采用的技术同等级。相较之下，三星电子目前采用的1a奈米技术相当于14奈米技术，落后美光及SK海力士。

晶片产业专家Jeon In-Seong表示：「事实证明美光制造技术比三星更先进，因为美光的HBM3E晶片是采用1b奈米技术。虽然美光HBM3E晶片在封装上仍有改善空间，但与当初在1b奈米技术上遇到的挑战比起来更好解决。」

业界认为美光HBM3E晶片之所以能抢下辉达订单，是因为该晶片在性能、节能效率及无缝扩充性等三方面都表现优异。

首先，美光HBM3E晶片引脚速度超过9.2 Gb/s，记忆体频宽超过1.2 TB/s，能让AI加速器、超级电脑及资料中心快速存取资料。再者，HBM3E晶片的功耗比市面上其他竞争产品减少30％。在AI应用需求快速扩大之际，美光HBM3E能以最低功耗提供最大吞吐量，提升资料中心营运经济。

第三，美光HBM3E拥有24GB容量，有助资料中心无缝扩充AI应用，也有足够频宽支援大规模神经网路并加速执行推论任务。