美光新高頻寬記憶體 HBM3E 量產 將用於輝達 H200

为抢攻AI商机，记忆体大厂美光（Micron）在美国时间26日宣布，最新高频宽记忆体HBM3E正式量产。路透

为抢攻AI商机，记忆体大厂美光（Micron）在美国时间26日宣布，最新高频宽记忆体HBM3E正式量产，该解决方案将用于今年第2季出货的辉达H200 Tensor Core GPU，此里程碑使美光居于业界领先地位。消息激励美光股价同日大涨4%，27日美股早盘续涨逾2.5%。

随着美光抢先宣布第五代高频宽记忆体HBM3E已正式量产，三星电子也紧接着公布12层HBM3E已开发完成，使得原先在HBM领域跑在前头的SK海力士腹背受敌，27日股价应声重挫。

美光HBM3E目前提供24GB容量，每脚位传输速率超过每秒9.2 Gb，记忆体频宽达每秒1.2 TB以上。与竞品相比，美光HBM3E功耗降低约30%。

该公司也规划将在2024年3月推出12层堆叠36GB HBM3E的样品，相较于竞品，效能可达到每秒1.2TB以上，并具备优异的功耗表现。

花旗分析师丹纳利表示，这项发展有利美光，预期该公司2024年将产生7亿美元的HBM营收。

接着，三星27日宣布成功研发出利用矽穿孔技术（TSV）的业界首款12层堆叠HBM3E，容量为迄今业内最大的36GB，已开始向客户提供12层堆叠HBM3E的样品，并计划下半年投入量产。

根据MoneyToday上周报导，SK海力士1月中旬结束HBM3E开发，顺利完成辉达历时半年性能评估，预定3月开始量产HBM3E，进度显然落后美光。SK海力士27日收跌4.9%。

另外，Omdia最新数据显示，三星电子2023年第4季动态随机存取记忆体（DRAM）全球市占率为45.7％，稳居榜首，SK海力士市占31.7%，名列第二，美光市占19.1%，排在第三。

在DRAM之中，快速成长的HBM是最新战场；TrendForce预估，HBM的市场规模，将从今年的39亿美元成长至2027年的89亿美元。

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