京东方华灿光电申请发光二极管及制备方法专利，提升芯片良率

金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利，公开号 CN 119170722 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。所述发光二极管包括：衬底、键合层和外延结构；所述衬底与所述外延结构通过所述键合层键合；所述衬底包括衬底本体和位于所述衬底本体上的至少一个凸起，所述凸起位于所述键合层内，且所述凸起沿着远离所述衬底本体的方向逐渐变宽。衬底包括衬底本体和位于衬底本体上的至少一个凸起，凸起位于键合层内，也即插入到键合层中且由于凸起沿着远离衬底本体的方向逐渐变宽使得凸起与键合层能够更好地固定在一起，从而让衬底和外延结构之间更紧密地固定，减少脱落问题，提升芯片良率。

本文源自：金融界

作者：情报员